Samsung M321RYGA0PB2-CCPKF Память оперативная

Описание Samsung M321RYGA0PB2-CCPKF

Samsung M321RYGA0PB2-CCPKF Память оперативная объемом 96 ГБ от Samsung, созданный по стандарту DDR5, является именно таким прорывным решением для профессионалов, чья работа требует бескомпромиссной вычислительной мощи. Огромный объем памяти в 96 гигабайт, заключенный в одном-единственном модуле, открывает новые горизонты для работы с ресурсоемкими приложениями. Будь то сложные научные расчеты, обработка и анализ колоссальных массивов данных, виртуализация или создание фотореалистичной трехмерной графики — этот модуль обеспечивает необходимое пространство для беспрепятственной работы. Вам больше не придется сталкиваться с задержками из-за нехватки оперативной памяти, что кардинально повысит общую эффективность и скорость завершения проектов. Сердцем этого выдающегося модуля является высочайшая тактовая частота 6400 мегагерц. Это означает, что операции чтения и записи данных происходят с невероятной скоростью, значительно опережая предыдущие поколения памяти. Благодаря этому процессор получает мгновенный доступ к необходимой информации, минимизируя простои и ускоряя выполнение любых процессов. Пропускная способность на уровне 51200 мегабайт в секунду превращает ваш вычислительный комплекс в мощнейший канал для обмена данными, где даже самые требовательные задачи выполняются быстро и без малейших задержек. Особую ценность эта память представляет для корпоративных пользователей и владельцев серверов, где бесперебойная работа и целостность данных являются абсолютным приоритетом. Технология коррекции ошибок и буферизации, обозначаемая как RDIMM, гарантирует высочайший уровень надежности. Она не только исправляет возникающие однобитовые ошибки на лету, но и обеспечивает стабильность работы в конфигурациях с большим количеством модулей памяти, что критически важно для многопользовательских систем и круглосуточно функционирующих дата-центров. Не менее важна и энергоэффективность. Несмотря на колоссальную производительность, модуль работает при низком напряжении питания всего в 1,1 вольт. Это позволяет не только снизить общее энергопотребление системы, но и минимизировать тепловыделение, что способствует созданию более стабильной и тихой рабочей среды. Двухранговая архитектура модуля оптимизирует взаимодействие с памятью, обеспечивая эффективное использование ее огромного объема, а время задержки, определяемое параметром CL и равное 52 тактам, является сбалансированным для достижения столь высокой частоты и объема. Этот модуль памяти — не просто апгрейд, это стратегическое вложение в стабильность, мощность и будущую производительность вашей ключевой инфраструктуры. Он олицетворяет собой новый этап в развитии вычислительных технологий, где надежность и скорость идут рука об руку, предоставляя вам инструмент для покорения новых вершин в профессиональной деятельности.

Технические характеристики

Комплект поставки