Описание Samsung M321R2GA3EB2-CWM
Samsung M321R2GA3EB2-CWM — серверный модуль оперативной памяти DDR5 объемом 16 ГБ. Модуль выполнен в форм-факторе 288-контактного RDIMM, работает с эффективной частотой 5600 МГц и обеспечивает пропускную способность 44800 МБ/с. Память имеет одноранговую организацию 1Rx8, поддерживает коррекцию ошибок ECC и использует зарегистрированную архитектуру для работы в совместимых серверных платформах. Рабочее напряжение составляет 1,1 В.
Особенности Samsung M321R2GA3EB2-CWM
- Объем памяти 16 ГБ
- Стандарт DDR5
- Эффективная частота 5600 МГц
- Пропускная способность 44800 МБ/с
- Форм-фактор RDIMM
- 288 контактов
- Поддержка ECC
- Зарегистрированная память
- Одноранговая организация 1Rx8
- CAS Latency CL46
- Рабочее напряжение 1,1 В
- Предназначен для совместимых серверных систем
Технические характеристики
|
ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
|
|
Тип
|
Модуль оперативной памяти
|
|
Модель
|
M321R2GA3EB2-CWM
|
|
Назначение
|
Для серверов
|
|
Объем памяти
|
16 ГБ
|
|
Количество модулей
|
1
|
|
Тип памяти
|
DDR5
|
|
Форм-фактор
|
RDIMM
|
|
Тип модуля
|
Registered ECC
|
|
Количество контактов
|
288
|
|
ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТЬ
|
|
Эффективная частота
|
5600 МГц
|
|
Пропускная способность
|
44800 МБ/с
|
|
Стандарт скорости
|
PC5-44800
|
|
CAS Latency
|
CL46
|
|
ОРГАНИЗАЦИЯ ПАМЯТИ
|
|
Количество ранков
|
1
|
|
Организация
|
1Rx8
|
|
Разрядность микросхем
|
x8
|
|
Поддержка ECC
|
Есть
|
|
Буферизация
|
Registered
|
|
ПИТАНИЕ
|
|
Напряжение питания
|
1,1 В
|
|
КОНСТРУКЦИЯ
|
|
Радиатор
|
Нет
|
|
Подсветка
|
Нет
|
|
ГАБАРИТЫ И ВЕС
|
|
Габариты товара
|
133,35 × 31,25 × 3,9 мм
|
|
Габариты упаковки
|
130 × 30 × 5 мм
|
|
Вес
|
50 г
|
|
Вес упаковки
|
60 г
|
Комплект поставки
|
Модуль памяти Samsung M321R2GA3EB2-CWM
|
1 шт.
|