Описание Silicon Power SP008GBLFU266B02
Silicon Power SP008GBLFU266B02 — модуль оперативной памяти DDR4 емкостью 8 ГБ, предназначенный для установки в настольные компьютеры. Модель выполнена в форм-факторе 288-контактного UDIMM и работает с частотой 2666 МГц при пропускной способности PC4-21300. Память соответствует стандартам JEDEC, имеет задержку CL19 и рабочее напряжение 1,2 В. Модуль относится к небуферизованной памяти без поддержки ECC.
Особенности Silicon Power SP008GBLFU266B02
- Объем памяти 8 ГБ
- Стандарт DDR4 SDRAM
- Частота 2666 МГц
- Пропускная способность PC4-21300
- Форм-фактор 288-pin UDIMM
- Тайминги 19-19-19
- Рабочее напряжение 1,2 В
- Небуферизованная память
- Без поддержки ECC
- Соответствие стандартам JEDEC
Технические характеристики
|
ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
|
|
Тип
|
Оперативная память
|
|
Модель
|
SP008GBLFU266B02
|
|
Тип памяти
|
DDR4 SDRAM
|
|
Форм-фактор
|
UDIMM
|
|
Количество контактов
|
288
|
|
Количество модулей
|
1
|
|
Объем одного модуля
|
8 ГБ
|
|
Общий объем памяти
|
8 ГБ
|
|
Частота памяти
|
2666 МГц
|
|
Пропускная способность
|
21300 МБ/с
|
|
Стандарт модуля
|
PC4-21300
|
|
ТАЙМИНГИ
|
|
CAS Latency (CL)
|
19
|
|
RAS to CAS Delay (tRCD)
|
19
|
|
Row Precharge Delay (tRP)
|
19
|
|
ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
|
|
ECC
|
Нет
|
|
Registered
|
Нет
|
|
Поддержка XMP
|
Нет
|
|
Радиатор
|
Нет
|
|
Подсветка
|
Нет
|
|
Количество ранков
|
1
|
|
Расположение чипов
|
Одностороннее
|
|
ПИТАНИЕ
|
|
Напряжение питания
|
1,2 В
|
|
ГАБАРИТЫ И ВЕС
|
|
Габариты товара
|
133,35 × 31,25 × 1,4 мм
|
|
Габариты упаковки
|
170 × 70 × 10 мм
|
|
Вес
|
16 г
|
|
Вес упаковки
|
35 г
|
Комплект поставки
|
Модуль оперативной памяти Silicon Power SP008GBLFU266B02
|
1 шт.
|