Описание Samsung M425R2GA3PB0-CWM
Samsung M425R2GA3PB0-CWM Модуль памяти объём: 1 модуль на 16Gb, тактовая частота: 5600 MHz, форм-фактор: SODIMM 262-контактный, скорость: PC-44800, поддержка ECC: нет, Low Profile: нет, Registered: нет.
Технические характеристики
|
ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
|
|
Форм-фактор
|
DDR5 SO-DIMM, 262-контактный
|
|
Тип модуля
|
UDIMM Non-ECC (Unbuffered)
|
|
Скорость передачи данных
|
5600 МТ/с
|
|
Объём
|
16 ГБ (1 модуль)
|
|
ECC
|
Встроенная ECC
|
|
Спецификация JEDEC
|
PC5-44800S
|
|
Напряжение
|
1,1 В
|
|
Организация
|
1 ранг, x8
|
|
CAS Latency (CL)
|
46 (16,43 нс)
|
|
Особые функции
|
Стандартный профиль JEDEC (DDR5-5600/CL46)
|
|
ГАБАРИТЫ И ВЕС
|
|
Габариты (Д × Ш × В)
|
69,8 × 30 × 1,3 мм
|
|
Размеры упаковки (Д × Ш × В)
|
100 × 60 × 10 мм
|
|
Вес
|
0,009 кг
|
|
Вес упаковки
|
0,015 кг
|
Комплект поставки
|
Samsung M425R2GA3PB0-CWM
|
1 шт.
|
|
Документация
|
1 шт.
|